Модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8/4 в Пскове
/ 
Технические характеристики модуль памяти DDR3 4GB Kingston KVR16N11S8/4:
|
Основные характеристики |
|
|
Стандарт |
DDR3 |
|
Форм-фактор |
DIMM |
|
Объем одного модуля |
4 ГБ |
|
Количество модулей в комплекте |
1 шт |
|
Суммарный объем |
4 ГБ |
|
Эффективная частота |
1600 МГц |
|
Пропускная способность |
12800 Мб/с |
|
Поддержка ECC |
Нет |
|
Буферизованная (регистровая) |
Нет |
|
Низкопрофильная |
Есть |
|
Количество чипов на модуле |
8 шт |
|
Количество контактов |
240 |
|
Тайминги |
|
|
CAS Latency (CL) |
11 |
|
RAS to CAS Delay (tRCD) |
11 |
|
Row Precharge Delay (tRP) |
11 |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
30 |
|
Дополнительные характеристики |
|
|
Напряжение питания |
1.5 В |
|
Максимальная выделяемая мощность |
2.16 Вт |
|
Нормальная операционная температура (Tcase) |
85 °C |
|
Расширенная операционная температура (Tcase) |
95 °C |
|
Компоновка чипов на модуле |
Односторонняя |
|
Радиатор |
Нет |
|
Габариты |
133.35 x 18.75 мм |
