Технические характеристики модуль памяти HPE 4GB (647895-TV1):
| Основные характеристики | |
| Стандарт | DDR3 | 
| Форм-фактор | DIMM | 
| Объем одного модуля | 4 ГБ | 
| Количество модулей в комплекте | 1 шт | 
| Суммарный объем | 4 ГБ | 
| Эффективная частота | 1600 МГц | 
| Пропускная способность | 12800 Мб/с | 
| Поддержка ECC | Есть | 
| Буферизованная (регистровая) | Есть | 
| Низкопрофильная | Нет | 
| Количество чипов на модуле | 18 шт | 
| Количество контактов | 240 | 
| Количество ранков | 1 | 
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 11 | 
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 | 
| Row Precharge Delay (tRP) | 11 | 
| Activate to Precharge Delay (tRAS) | 30 | 
| Дополнительные характеристики | |
| Напряжение питания | 1.35 В | 
| Нормальная операционная температура (Tcase) | 85 °C | 
| Расширенная операционная температура (Tcase) | 95 °C | 
| Компоновка чипов на модуле | Двусторонняя | 
| Радиатор | Нет | 
| Совместимость | Gen8 | 
| Вид поставки | Kit | 
| Габариты | 133.35 x 30 мм | 
| Вес брутто | 10 г | 

 
                                                         
                                                        
                                                     
                                                             
                                                            