Модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600
/ 
Технические характеристики модуль памяти QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600:
|
Основные характеристики |
|
|
Стандарт |
DDR3L |
|
Форм-фактор |
SODIMM |
|
Объем одного модуля |
2 ГБ |
|
Количество модулей в комплекте |
1 шт |
|
Суммарный объем |
2 ГБ |
|
Эффективная частота |
1600 МГц |
|
Пропускная способность |
12800 Мб/с |
|
Поддержка ECC |
Нет |
|
Буферизованная (регистровая) |
Нет |
|
Низкопрофильная |
Нет |
|
Количество чипов на модуле |
8 шт |
|
Количество контактов |
204 |
|
Тайминги |
|
|
CAS Latency (CL) |
11 |
|
RAS to CAS Delay (tRCD) |
11 |
|
Row Precharge Delay (tRP) |
11 |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
28 |
|
Дополнительные характеристики |
|
|
Напряжение питания |
1.35 В |
|
Нормальная операционная температура (Tcase) |
85 °C |
|
Расширенная операционная температура (Tcase) |
95 °C |
|
Компоновка чипов на модуле |
Односторонняя |
|
Радиатор |
Нет |
|
Совместимость |
TS-251, TS-251+-2G, TS-251+-8G, TS-251-4G, TS-451, TS-451+-2G, TS-451+-8G, TS-451-4G, TS-451U, TS-453 Pro, TS-453 Pro-8G, TS-453A-4G, TS-453A-8G, TS-453mini |
|
Вид поставки |
Blister Pack/Street Retail |
|
Габариты |
67.6 x 30 мм |
