Технические характеристики модуль памяти IBM Express 4GB RDIMM (49Y1435):
Основные характеристики |
|
Стандарт |
DDR3 |
Форм-фактор |
DIMM |
Объем одного модуля |
4 ГБ |
Количество модулей в комплекте |
1 шт |
Суммарный объем |
4 ГБ |
Эффективная частота |
1333 МГц |
Пропускная способность |
10600 Мб/с |
Поддержка ECC |
Есть |
Буферизованная (регистровая) |
Есть |
Низкопрофильная |
Есть |
Количество чипов на модуле |
18 шт |
Количество контактов |
240 |
Количество ранков |
2 |
Тайминги |
|
CAS Latency (CL) |
9 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
9 |
Row Precharge Delay (tRP) |
9 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
24 |
Дополнительные характеристики |
|
Напряжение питания |
1.5 В |
Нормальная операционная температура (Tcase) |
85 °C |
Расширенная операционная температура (Tcase) |
95 °C |
Компоновка чипов на модуле |
Двусторонняя |
Радиатор |
Нет |
Совместимость |
x3400M3/x3500M3/x3550M3/x3620M3/x3650M3 |
Габариты |
133.35 x 30 мм |
Вес брутто |
50 г |