Технические характеристики модуль памяти DDR4 4GB Samsung M378A5244CB0-CRC:
Основные характеристики |
|
Стандарт |
DDR4 |
Форм-фактор |
DIMM |
Объем одного модуля |
4 ГБ |
Количество модулей в комплекте |
1 шт |
Суммарный объем |
4 ГБ |
Эффективная частота |
2400 МГц |
Пропускная способность |
19200 Мб/с |
Поддержка ECC |
Нет |
Буферизованная (регистровая) |
Нет |
Низкопрофильная |
Нет |
Количество чипов на модуле |
4 шт |
Количество контактов |
288 |
Тайминги |
|
CAS Latency (CL) |
17 |
RAS to CAS Delay (tRCD) |
17 |
Row Precharge Delay (tRP) |
17 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
40 |
Дополнительные характеристики |
|
Напряжение питания |
1.2 В |
Нормальная операционная температура (Tcase) |
85 °C |
Расширенная операционная температура (Tcase) |
95 °C |
Компоновка чипов на модуле |
Односторонняя |
Радиатор |
Нет |
Вид поставки |
Bulk |
Габариты |
133.35 x 31.25 мм |