Технические характеристики модуль памяти HP 534916-B21:
|
Основные характеристики |
|
|
Стандарт |
DDR3 |
|
Форм-фактор |
Нестандартный |
|
Объем одного модуля |
0.5 ГБ |
|
Количество модулей в комплекте |
1 шт |
|
Суммарный объем |
0.5 ГБ |
|
Эффективная частота |
1333 МГц |
|
Пропускная способность |
10660 Мб/с |
|
Поддержка ECC |
Есть |
|
Буферизованная (регистровая) |
Нет |
|
Низкопрофильная |
Нет |
|
Количество чипов на модуле |
9 шт |
|
Количество контактов |
240 |
|
Тайминги |
|
|
CAS Latency (CL) |
9 |
|
RAS to CAS Delay (tRCD) |
9 |
|
Row Precharge Delay (tRP) |
9 |
|
Activate to Precharge Delay (tRAS) |
24 |
|
Дополнительные характеристики |
|
|
Напряжение питания |
1.5 В |
|
Нормальная операционная температура (Tcase) |
85 °C |
|
Расширенная операционная температура (Tcase) |
95 °C |
|
Радиатор |
Нет |
|
Совместимость |
ProLiant DL585 G6 Server Series |
|
Вид поставки |
Kit |
